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96年 - 96 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試:電子學#24550
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46.如【圖12】電路,A為理想運算放大器,則V
0
= ?
(A) -15 V
(B) -10 V
(C) -5 Y
(D)4V
答案:
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統計:
A(8), B(11), C(71), D(8), E(0) #912759
詳解 (共 1 筆)
mf
B1 · 2018/04/25
#2747456
4m=(3+4-vo)/3kvo=-5
(共 21 字,隱藏中)
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相關試題
1.矽半導體的材料能隙(Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化? (A)能隙變大,阻抗值變小 (B)能隙與阻抗值均變小 (C)能隙與阻抗值均變大 (D)能隙變小,阻抗值變大
#912714
2.將硼元素摻雜進純矽晶體中,則成為何種型式的半導體? (A) P 型 (B) N 型 (C) I 型 (D) J 型
#912715
3.整個P型半導體是呈現? (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視雜質原子序而定
#912716
4.半導體因溫度的關係造成共價鍵破壞,此時半導體會產生? (A)僅有自由電子 (B)僅有電洞 (C)自由電子及電洞 (D)正負離子
#912717
5.如【圖1】電路,假設二極體為理想二極體,求V0= ? (A)3V (B)6 V (C)9 V (D) 12 V
#912718
6.—個全波整流器其輸入弦波頻率為fs,整流後輸出信號的週期為: (A)4/fs (B)2/fs (C)l/fs (D)l/(2fs)
#912719
7.—個直流電壓源,電壓為24V,内阻為2Ω ,滿載提供的電流為2A,此電源的電壓調整率為: (A) 10 % (B) 15 % (C) 20 % (D) 25 %
#912720
8. BJT電晶體的結構中,其「摻雜濃度最高」及「寬度最薄」的部份分別為: (A)射極;基極 (B)集極;射極 (C)集極;基極(D)射極;集極
#912721
9.下列有關BJT電晶體的敘述,何者錯誤? (A) PNP電晶體的少數載子為電子 (B)NPN電晶體的少數載子為電洞 (C) PNP電晶體的頻率響應特性優於NPN電晶體 (D)兩個接面偏壓(BE, BC )不可隨意調換
#912722
10.欲使BIT電晶體能具線性放大的功用,則B-E接面及B-C接面應分別作何種偏壓? (A)B-E接面順向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (B)B-E接面逆向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (C)B-E接面逆向偏壓,B-C接面順向偏壓 (D)B-E接面順向偏壓,B-C接面順向偏壓
#912723
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