96年 - 96 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40380

科目：半導體工程 | 年份：96年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (7)

一、DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為 1µ m2，且 電容具 4 nm 之 SiO2 介電層，又工作電壓為 2V，請問有多少電子儲存在記憶體單元。 （SiO2 介電常數：3.9）（10 分）
二、請說明兩種矽晶棒（Ingot）之製作方式，並比較其優缺點。（20 分）
三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應：Si(s) + 2Cl2(g) → SiCl4(g)。若通入氯氣流量 為 100 sccm，請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少？ （Si atom weight: 28.09，Density: 2.329 g/cm3）（15 分）
四、請說明常用之物理性鍍膜有那三類？試比較其優缺點。（15 分）
【已刪除】五、從下表之<100>Ｓi 於 TMAH 之蝕刻速率，求其蝕刻之活化能（activation energy）。 （10 分） 
六、以 PN 二極體為例，說明其空間電荷形成之原因，並說明於何處其電場強度最大。 （20 分）
七、試比較傳統反應性離子蝕刻技術（RIE）與高密度電漿蝕刻（ICP）之不同。（10 分）